| 发明名称 | EUV辐射系统和光刻设备 | ||
| 摘要 | 一种光刻投影设备设置有EUV辐射系统，该EUV辐射系统包括：源腔；供给装置，构造和布置成将目标材料供给至预定的等离子体形成位置；光学系统，所述光学系统由三个或更多的反射镜形成，布置成在所述目标材料位于所述预定的等离子体形成位置时建立延伸至所述目标材料的束路径；和激光器系统，构造和布置成提供沿着所述束路径的激光束，用于与所述目标材料相互作用以在所述腔内产生发射EUV辐射的等离子体。 | ||
| 申请公布号 | CN102472981A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080035014.7 | 申请日期 | 2010.07.14 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | A·范帝杰赛欧东克;E·鲁普斯特拉 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H05G2/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吴敬莲 |
| 主权项 | 一种EUV辐射系统，包括：源腔；供给装置，构造和布置成将目标材料供给至预定的等离子体形成位置；光学系统，所述光学系统由三个或更多的反射镜形成，所述反射镜布置成在所述目标材料位于所述预定的等离子体形成位置时建立延伸至所述目标材料的束路径；和激光器系统，构造和布置成提供沿着所述束路径的激光束，用于与所述目标材料相互作用以在所述腔内产生发射EUV辐射的等离子体。 | ||
| 地址 | 荷兰维德霍温 | ||