存储器驱动方法和半导体存储装置

摘要

本发明涉及一种存储器驱动方法和半导体存储装置。本发明涉及一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线，每个存储器单元具有源极、漏极和浮体，所述方法包括执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述存储器单元的第二逻辑数据的劣化，其中在所述刷新操作中，当所述浮体处的电位大于临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量大于从所述浮体中流出的载流子的数量，并且当所述浮体处的电位小于所述临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量小于从所述浮体中流出的载流子的数量。

主权项

一种驱动存储器的方法，所述存储器包括存储器单元、位线和字线，每个存储器单元具有源极、漏极和处于电浮动状态的浮体，所述存储器单元根据在所述浮体中的载流子的数量存储逻辑数据，所述位线连接到所述漏极，所述字线与所述位线交叉，所述方法包括以下步骤：执行刷新操作，以恢复所述存储器单元的第一逻辑数据的劣化和所述存储器单元的第二逻辑数据的劣化，存储所述第二逻辑数据的存储器单元的所述浮体中积累的载流子的数量小于存储所述第一逻辑数据的存储器单元的所述浮体中积累的载流子的数量，其中在所述刷新操作中，当所述浮体处的电位大于临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量大于从所述浮体中流出的载流子的数量，并且当所述浮体处的电位小于所述临界值时，注入到所述浮体中的载流子的数量小于从所述浮体中流出的载流子的数量。