发明名称 一种三磷酸腺苷插层水滑石薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了属于生物一无机复合材料技术领域的一种垂直基底生长的三磷酸腺苷插层水滑石薄膜及其制备方法。本发明采用原位生长法制得水滑石薄膜,然后再加入三磷酸腺苷,具体步骤为:首先使金属铝的表面形成阳极氧化铝层,生成水滑石薄膜;然后将水滑石薄膜浸入到三磷酸腺苷溶液中,于室温下干燥,得到三磷酸腺苷插层水滑石的薄膜。本发明的优点在于:利用原位生长技术,将三磷酸腺苷组装进入水滑石层间,实现三磷酸腺苷的固载化,利用水滑石的层板限域达到研究药物缓释的目的。
申请公布号 CN101530620B 申请公布日期 2012.05.23
申请号 CN200910080440.1 申请日期 2009.03.18
申请人 北京化工大学 发明人 卫敏;倪学云;靳兰;段雪
分类号 A61K47/48(2006.01)I;A61K31/7076(2006.01)I;A61P9/00(2006.01)I;A61P9/04(2006.01)I;A61P9/10(2006.01)I;A61P21/00(2006.01)I;A61P31/14(2006.01)I;C25D11/34(2006.01)I 主分类号 A61K47/48(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 朱琨
主权项 一种三磷酸腺苷插层水滑石薄膜,其特征在于:该薄膜为层板垂直于阳极氧化铝基底排列的三磷酸腺苷插层水滑石薄膜材料,该薄膜为超分子结构,晶体结构为水滑石材料的晶体结构,其化学式为:[(M2+)1‑x(Al3+)x(OH)2]x+(ATPn‑)x/n·mH2O,其中0.2≤x≤0.33,n=0.5‑14,m=3‑6为层间结晶水分子数;所述的M2+为Mg2+、Co2+、Ni2+、Ca2+、Cu2+、Fe2+或Zn2+。
地址 100029 北京市朝阳区北三环东路15号