| 发明名称 | 发光装置工艺 | ||
| 摘要 | 揭露了形成发光装置的方法，包括将发光堆叠(2002、2004、2006)刻画入台面结构、通过结合层2040将该结构结合至子基座2042，以及去除该生长基底。此外，揭露了刻画发光装置台面(2006)的方法，所述方法通过使用模具来压印抗蚀材料，或者通过将自组装纳米颗粒用作掩膜而达成。 | ||
| 申请公布号 | CN101048855B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200580031725.6 | 申请日期 | 2005.06.28 |
| 申请人 | 发光装置公司 | 发明人 | 亚历克斯易·A·尔恰克;迈克尔·利姆;斯科特·W·邓肯;约翰·W·格拉夫;米兰·S·明斯克;马特·韦格 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人 | 尹洪波 |
| 主权项 | 一种形成发光装置的方法，包括：设置包括基底及半导体层的多层堆叠；蚀刻所述多层堆叠的至少一部分以设置包括多个形成在多个台面之间的气体积聚区的已蚀刻多层堆叠；将所述已蚀刻多层堆叠的所述台面的顶表面结合至子基座，其中所述气体积聚区在所述基底和所述子基座之间从所述台面的顶表面延伸至所述台面的底表面；将所述半导体层曝露于电磁辐射以部分地分解所述半导体层，其中将所述半导体层曝露于电磁辐射生成气体且所述气体积聚于所述气体积聚区。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||