化学机械抛光组合物及其相关方法

摘要

一种使用化学机械抛光组合物对基片进行化学机械抛光的方法，所述基片在存在互连金属和低k介电材料中的至少一种的同时包含阻挡材料，所述化学机械抛光组合物包含：水；1-40重量％的平均粒度≤100nm的磨粒；0.001-5重量％的季化合物；下式(I)所示的物质：其中，R选自C₂-C₂₀烷基，C₂-C₂₀芳基，C₂-C₂₀芳烷基和C₂-C₂₀烷芳基；x为0-20的整数；y为0-20的整数；x+y≥1；所述化学机械抛光组合物的pH值≤5。

主权项

1.一种对基片进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供基片，所述基片在存在互连金属和低k介电材料中的至少一种的同时包含阻挡材料；提供化学机械抛光组合物，所述化学机械抛光组合物包含：水；1-40重量％的平均粒度≤100nm的磨料；0-10重量％的氧化剂；0.001-5重量％的季铵化合物，所述季铵化合物选自氢氧化四乙基铵，氢氧化四丙基铵，氢氧化四环丙基铵，氢氧化四丁基铵，氢氧化四环丁基铵，氢氧化四戊基铵，氢氧化四环戊基铵，氢氧化四己基铵，氢氧化四环己基铵，以及它们的混合物；0.01-0.05重量％的式(I)所示的物质：其中，R选自C₂-C₂₀烷基，C₂-C₂₀芳基，C₂-C₂₀芳烷基和C₂-C₂₀烷芳基；x为0-20的整数；y为0-20的整数；x+y≥1；所述化学机械抛光组合物的pH值≤5；提供化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基片之间的界面处形成动态接触；在化学机械抛光垫和基片之间的界面处或界面附近，将所述化学机械抛光组合物分配在所述化学机械抛光垫上；从所述基片除去至少一部分的所述阻挡材料。