等离子体处理系统ESC高压控制

摘要

揭示了一种等离子体处理系统。该等离子体处理系统可包括置于等离子体处理室内部并被配置为支撑晶片的静电卡盘(ESC)。该ESC可包括用于向该晶片提供第一力的正端子(+ESC)和用于向该晶片提供第二力的负端子(-ESC)。该等离子体处理系统还可包括被配置为测量用于计算施加到该正端子的正负载电流的值的第一组电压的第一转阻放大器(TIA)和第二TIA。该等离子体处理系统还可包括被配置为测量用于计算施加到该负端子的负载电流的值的第二组电压的第三TIA和第四TIA。

主权项

一种处理晶片的等离子体处理系统，该等离子体处理系统包含：置于等离子体处理室内部并被配置为支撑该晶片的静电卡盘(ESC)，该ESC包括用于向该晶片提供第一力的正端子和用于向该晶片提供第二力的负端子；第一转阻放大器(TIA)和第二TIA，其被配置为测量第一组电压以用于确定施加到该正端子的正负载电流的值；第三TIA和第四TIA，其被配置为测量第二组电压以用于确定施加到该负端子的负负载电流的值；配置为使用该正负载电流的值和该负负载电流的值调整偏置电压以平衡该第一力和该第二力的程序。