| 发明名称 | 具有改善的写入操作的二端口SRAM | ||
| 摘要 | 一种二端口SRAM存储器单元(20)包括耦合到存储节点的一对交叉耦合的反相器(40)。存取晶体管(54)耦合在每个存储节点(SN，SNB)和写入位线(WWB0)之间，并且由写入字线(WWL0)控制。写入字线也耦合到该对交叉耦合的反相器(40)的电源端。在写入操作期间，该写入字线被断言。在交叉耦合的反相器(40)的电源端处的电压跟随写入字线电压，由此使得在存储节点处的逻辑状态在必要时更容易改变。在写入操作结尾，写入字线被去断言，允许交叉耦合的反相器(40)正常工作并且保持存储节点(SN)的逻辑状态。耦合交叉耦合的反相器的电源节点允许更快的写入操作而不损害单元稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101529521B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200780039169.6 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | G·C·阿伯林;J·D·伯纳特;L·N·赫尔;J·M·希格曼 |
| 分类号 | G11C11/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 屠长存 |
| 主权项 | 一种耦合到字线的存储器单元，包括：一对交叉耦合的反相器，具有用于接收第一电源电压的第一电源端以及连接到字线的第二电源端，其中所述第二电源端用于在所述存储器单元的写入操作期间该对交叉耦合的反相器被访问时从字线接收第一电源电压，并且其中所述第二电源端用于在对于所述写入操作该对交叉耦合的反相器未被访问时从字线接收第二电源电压，所述第二电源电压不同于所述第一电源电压。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||