半导体刻蚀方法及刻蚀系统

摘要

本发明提供了一种半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统，该方法包括步骤：利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图形；测量所述刻蚀图形的实际深度；计算出所述实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用目标刻蚀参数值执行下一次刻蚀。所述半导体刻蚀系统包括：刻蚀装置、测量装置和反馈装置。本发明的半导体刻蚀方法及半导体刻蚀系统可以在刻蚀的过程中减小误差，提高了刻蚀图形的刻蚀精度，并且使不在同一次刻蚀的刻蚀图形之间的差别减小。

主权项

一种半导体刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：利用当前刻蚀参数值对至少一个晶片刻蚀，在所述晶片上刻蚀出刻蚀图形；测量所述刻蚀图形的实际深度；计算出所述刻蚀图形的实际深度和目标深度的偏差值，根据所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值；将当前刻蚀参数值调整为目标刻蚀参数值，利用所述目标刻蚀参数值执行下一次刻蚀；所述的当前刻蚀参数值包括当前刻蚀时间或者当前刻蚀速率，所述的目标刻蚀参数值包括目标刻蚀时间或者目标刻蚀速率；所述偏差值确定达到目标深度所需的目标刻蚀参数值计算方法包括：确定刻蚀所述偏差值的刻蚀时间，如果所述刻蚀图形的实际深度大于目标深度，目标刻蚀时间＝当前刻蚀时间‑所述偏差值的刻蚀时间；否则目标刻蚀时间＝当前刻蚀时间+所述偏差值的刻蚀时间。