| 发明名称 | 硼扩散源的使用方法及半导体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可以延长到再氧化处理的间隔时间的硼扩散源的使用方法及使用该硼扩散源的半导体的制造方法。在氧气浓度为0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下使用由含有Al2O3成分、SiO2成分以及BN成分的复合烧结体构成的硼扩散源的方法。进一步，半导体的制造方法，其特征在于，将由下述复合烧结体构成的硼扩散源和半导体晶片置于扩散炉内，在氧气浓度为0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下加热，其中所述复合烧结体含有Al2O3成分、SiO2成分以及BN成分，Al2O3成分和SiO2成分的合计含有率为30～70质量％，BN成分的含有率为30～70质量％，并且Al2O3/SiO2的摩尔比为1.0～2.4。 | ||
| 申请公布号 | CN101542687B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200780044125.2 | 申请日期 | 2007.11.28 |
| 申请人 | 电气化学工业株式会社 | 发明人 | 西川正人;横田博 |
| 分类号 | H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/223(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种硼扩散源的使用方法，其特征在于，在氧气浓度为0.3～5体积％的非氧化性气体气氛下使用由复合烧结体构成的硼扩散源，其中所述复合烧结体含有氧化铝Al2O3成分、氧化硅SiO2成分以及氮化硼BN成分。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||