| 发明名称 | 光电转换装置和其制造方法 | ||
| 摘要 | 使光电转换装置的面板面内的光电转换效率的分散变小。在包括微晶硅光电转换元件(104)的光电转换装置的制造方法中，包括形成i型层(42)的工序，该工序形成第一i型层(42a)，而且在第一i型层(42a)上按照与第一i型层(42a)相比结晶率高且结晶率的面内分布变低的条件形成第二i型层(42b)，其中所述微晶硅光电转换元件(104)具备p型层(40)、i型层(42)和n型层(44)的层叠结构，所述i型层包括成为发电层的微晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN102473759A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080035878.9 | 申请日期 | 2010.11.24 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 国井稔枝;松本光弘 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种光电转换装置的制造方法，所述光电转换装置具备p型层、i型层和n型层的层叠结构，所述i型层包括成为发电层的微晶硅层，所述光电转换装置的制造方法的特征在于：包括形成所述i型层的工序，所述工序形成第一微晶硅层，并且在所述第一微晶硅层上，以与所述第一微晶硅层相比结晶率高且结晶率的面内分布低的条件形成第二微晶硅层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||