降低瞬时电压抑制器骤回的电路结构

摘要

本发明公开一电子器件，该电子器件为一种集成电路(IC)结构，其中此电子器件进一步包括一瞬时电压抑制器(TVS)电路。该瞬时电压抑制器电路包括连接在双极型结型晶体管(BJT)的发射极与集电极之间的一触发式齐纳二极管。其中齐纳二极管具有一反向击穿电压，此击穿电压小于或等于双极型结型晶体管的集电极-发射极击穿电压，且此双极型结型晶体管是利用开启的基极以承受集电极-发射极击穿电压。上述瞬时电压抑制电路进一步包括一整流器，该整流器以并联的方式连接上述的双极型结型晶体管，且通过整流器触发一整流电路，来进一步限定反向阻隔电压的增加。在一较佳实施例中，通过在N型阱或是P型阱内植入第一或第二导电类型的掺杂区域，从而将触发式齐纳二极管、双极型结型晶体管以及整流器形成在一半导体衬底上。

主权项

一种瞬时电压抑制电路，包括：一触发式二极管，该触发式二极管连接在一第一双极型结型晶体管的发射极与集电极之间，其中该触发式二极管具有一反向击穿电压，该反向击穿电压小于或者等于第一双极型结型晶体管的集电极‑发射极击穿电压，且该集电极‑发射极击穿电压是通过开启的基极以来承受集电极与发射极之间的击穿电压。