| 发明名称 | 用于III族磷化物半导体发光器件的p接触层 | ||
| 摘要 | 一种器件包括半导体结构，其具有布置在n型区域和p型区域之间的至少一个III族磷化物发光层。该半导体结构还包括GaAsxP1-xp接触层，其中x<0.45。第一金属接触直接接触GaAsxP1-xp接触层。第二金属接触电连接到n型区域。第一和第二金属接触形成于半导体结构的同一侧上。 | ||
| 申请公布号 | CN102473804A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201080029721.5 | 申请日期 | 2010.05.27 |
| 申请人 | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | T.钟;A.芒克霍尔姆 |
| 分类号 | H01L33/30(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I;H01L33/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 谢建云;刘鹏 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体结构，其包括： 布置在n型区域和p型区域之间的至少一个III族磷化物发光层；以及 GaAsxP1‑x p接触层，其中x<0.45；以及第一金属接触，其直接接触该GaAsxP1‑x p接触层；以及第二金属接触，其电连接到该n型区域；其中第一金属接触和第二金属接触形成于该半导体结构的同一侧上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||