一种高频半导体元件

摘要

一种高频半导体元件，包括氮化镓制成的半导体核心、封装外壳和引线框架，所述引线框架的一部分和所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述半导体核心包括衬底、半导体层和隔离层，所述隔离层上设置有n型掺杂层，所述半导体层电连接有源极和漏极，所述隔离层电连接有栅极，所述栅极与所述n型掺杂层电气分离。所述栅极和n型掺杂层之间设置有钝化层。所述n型掺杂层与源极和漏极接触。所述栅极包括浮栅结构。所述栅极和隔离层之间设置有介质层。本实用新型用生长的方式实现了掺杂层形成，采用离子注入的方式使金属和半导体之间的隧穿几率更快，从而降低了欧姆接触电阻，增强了半导体元件的频率响应特性。

主权项

一种高频半导体元件，其特征在于：包括氮化镓制成的半导体核心、封装外壳和引线框架，所述引线框架的一部分和所述半导体核心设置于所述封装外壳内，所述半导体核心包括衬底、半导体层和隔离层，所述隔离层上设置有n型掺杂层，所述半导体层电连接有源极和漏极，所述隔离层电连接有栅极，所述栅极与所述n型掺杂层电气分离。