| 发明名称 | 使用氨基金属与卤化金属前体组合的含金属氮化物的薄膜沉积 | ||
| 摘要 | 公开由氨基金属前体与卤化金属前体的组合形成含金属氮化物的薄膜，优选由氨基硅烷前体与氯硅烷前体的组合形成含SiN的薄膜的方法。变化所述氨基金属前体及所述卤化金属前体的顺序反应实现了具有变化的化学计量的含金属氮化物的薄膜的形成。另外，该含金属氮化物的薄膜的组成可基于氨基金属前体的结构而改性。所公开方法可为热方法或低温下的等离子体方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102471885A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201180003392.1 | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | 东野桂子;柳田和孝 |
| 分类号 | C23C16/448(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/448(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 徐国栋;林柏楠 |
| 主权项 | 一种形成含金属氮化物的薄膜的方法，该方法包含以下步骤：a)将卤化金属前体引入含有至少一个基板的ALD反应器中；b)将多余卤化金属前体从该反应器中清除；c)将氨基金属前体引入该反应器中；及d)将多余氨基金属前体从该反应器中清除，e)任选地将反应物引入该反应器中，f)任选地将多余反应物从该反应器中清除，其中该卤化金属前体及该氨基金属前体的金属是相同或不同的。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||