金属栅极的形成方法

摘要

本发明提供一种金属栅极的形成方法，提供形成第一替代栅电极层的基底，第一替代栅电极层包括第一牺牲层及位于第一牺牲层上的第二牺牲层，第二牺牲层热膨胀系数高于第一牺牲层热膨胀系数；对第一替代栅电极层高温处理形成第二替代栅电极层，第一牺牲层的宽度小于第二牺牲层的宽度；在基底上形成介质层，介质层表面与第二替代栅电极层表面齐平；去除第二替代栅电极层形成沟槽；采用填充物质对沟槽进行填充，形成金属栅极。本发明通过高温处理使得第一牺牲层厚度小于第二牺牲层厚度，形成底部宽度小于开口宽度的沟槽，避免金属栅极产生空隙，避免金属栅极的电阻值较待形成的目标电阻值偏高等问题，提高含有所述金属栅极的半导体器件的可靠性。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有第一替代栅电极层，所述第一替代栅电极层包括第一牺牲层及位于第一牺牲层上的第二牺牲层，其中，第二牺牲层的热膨胀系数高于第一牺牲层的热膨胀系数；对所述第一替代栅电极层进行高温处理，形成第二替代栅电极层，所述第二替代栅电极层中，第一牺牲层的宽度为第一宽度，所述第二牺牲层的宽度为第二宽度，所述第一宽度小于第二宽度；在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与第二替代栅电极层表面齐平；去除所述第二替代栅电极层，形成沟槽；采用填充物质对所述沟槽进行填充，形成金属栅极。