| 发明名称 | 熔丝结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种熔丝结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层内形成有与所述第一介质层齐平的第一电极；在所述第一介质层上第二介质层，所述第二介质层内形成有接触孔，所述接触孔露出下方的第一电极；在所述第一电极内形成功能层；在所述功能层上形成第二电极；形成覆盖所述第二电极和第二介质层的第三介质层。本发明的熔丝结构的制作方法能够与采用金属栅极和高K介质层的晶体管的制作方法兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN102468225A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010549165.6 | 申请日期 | 2010.11.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴金刚;黄晓辉 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种熔丝结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层内形成有与所述第一介质层齐平的第一电极；在所述第一介质层上形成第二介质层，所述第二介质层内形成有接触孔，所述接触孔露出下方的第一电极；在所述第一电极内形成功能层，且所述接触孔暴露出所述功能层；在所述功能层上形成第二电极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||