发明名称 |
双面生长型MOCVD反应器 |
摘要 |
本发明公开了一种双面生长型金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器,包括:反应室;位于反应室内壁上表面的第一石墨盘,第一石墨盘上设有第一承载槽,第一承载槽的周围设有卡持部件;位于反应室内壁下表面的第二石墨盘,第二石墨盘上设有第二承载槽;位于反应室顶部中心位置的进气口,进气口的横截面为三层同心圆结构,由内到外依次为圆形的第一氢化物气源入口、环形的金属有机物气源入口以及环形的第二氢化物气源入口;位于反应室侧壁的出气口;以及分别位于第一石墨盘及第二石墨盘背面的两套加热系统。该双面生长型MOCVD反应器,一方面可提高反应气体的利用效率,另一方面可大大提高薄膜产量。 |
申请公布号 |
CN102465280A |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN201010532676.7 |
申请日期 |
2010.11.04 |
申请人 |
上海蓝光科技有限公司 |
发明人 |
郝茂盛;周健华 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种双面生长型MOCVD反应器,其特征在于,包括:反应室;位于所述反应室内壁上表面的第一石墨盘,所述第一石墨盘上设有第一承载槽,所述第一承载槽的周围设有卡持部件;位于所述反应室内壁下表面的第二石墨盘,所述第二石墨盘上设有第二承载槽;位于所述反应室顶部中心位置的进气口,所述进气口的横截面为三层同心圆结构,由内到外依次为圆形的第一氢化物气源入口、环形的金属有机物气源入口以及环形的第二氢化物气源入口;位于所述反应室侧壁的出气口;以及分别位于第一石墨盘及第二石墨盘背面的两套加热系统。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 |