| 发明名称 | 沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种沟槽隔离结构及其形成方法，所述沟槽隔离结构包括：半导体基底；第一沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有外延层，所述外延层的表面高于所述半导体基底的表面；第二沟槽，形成于所述外延层上，其中填充有第一介质层，所述第一介质层的表面与所述外延层的表面齐平，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。本发明利于减少边沟对半导体器件性能的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN102468215A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201010552589.8 | 申请日期 | 2010.11.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;尹海洲;梁擎擎;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种沟槽隔离结构，其特征在于，包括：半导体基底；第一沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有外延层，所述外延层的表面高于所述半导体基底的表面；第二沟槽，形成于所述外延层上，其中填充有第一介质层，所述第一介质层的表面与所述外延层的表面齐平，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||