发光显示装置及其制造方法

摘要

本发明的发光显示装置为了确保线性区域的TFT特性(导通电流)而采用侧接触构造，在构成开关晶体管的TFT中为了降低截止电流而使与源/漏电极对应的区域的半导体层(沟道层)厚，另一方面在构成驱动晶体管的TFT中为了得到导通电流而使与源/漏电极对应的区域的半导体层(沟道层)薄。并且，使用半色调掩模制造这些构造。由此，能够在开关晶体管中抑制截止电流、在驱动晶体管中确保导通电流。

主权项

一种发光显示装置，在基板上排列有多个发光像素，所述发光像素分别具有第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和发光元件，所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管分别包括：栅电极，其设于所述基板上；栅极绝缘膜，其设于所述栅电极上；半导体层，其与所述栅电极对应地设于所述栅极绝缘膜上，具有源极区域、沟道区域及漏极区域；掺杂半导体层，其被设置成覆盖所述半导体层的源极区域及漏极区域的上面；和源电极及漏电极，其设于所述掺杂半导体层上，所述第一薄膜晶体管的半导体层的源极区域及漏极区域的厚度大于所述第二薄膜晶体管的半导体层的源极区域及漏极区域的厚度，所述掺杂半导体层被设置成覆盖所述半导体层的沟道长度方向上的两端部的侧面。