| 发明名称 | 三维半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。 | ||
| 申请公布号 | CN102468280A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110347712.7 | 申请日期 | 2011.11.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌炫;孙炳根;朴赞真;赵慧珍;张盛壹 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种三维半导体存储器件，包括：在下结构上的上结构，所述上结构包括导电图案；半导体图案，穿过所述上结构连接到所述下结构；以及绝缘间隔物，在所述半导体图案与所述上结构之间，所述绝缘间隔物的底表面位于等于或高于所述下结构的最高表面的水平面。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||