半导体存储装置

摘要

本发明公开了半导体存储装置。目的在于：降低整个存储器在半导体基板所占的面积。具有多层次比特线结构的半导体存储装置包括存储单元、和放大通过比特线从存储单元读出的信号的放大电路。单元N阱区域和放大电路N阱区域连续地形成着，在该单元N阱区域中形成上述存储单元的P沟道晶体管，在该放大电路N阱区域中形成上述放大电路的P沟道晶体管。

主权项

一种具有多层次比特线结构的半导体存储装置，其包括存储单元和放大电路，该放大电路将通过比特线从存储单元读出的信号放大，其特征在于：单元N阱区域和放大电路N阱区域连续地形成着，在该单元N阱区域中形成上述存储单元的P沟道晶体管，在该放大电路N阱区域中形成上述放大电路的P沟道晶体管，隔着基板触点N阱区域连续地形成上述单元N阱区域和放大电路N阱区域，上述单元N阱区域的宽度和基板触点N阱区域的宽度相等。