| 发明名称 | 具有气隙的穿透硅通孔 | ||
| 摘要 | 提供一种具有穿透硅通孔的半导体衬底，其中气隙介于穿透硅通孔和半导体衬底之间。形成开口，其部分地穿过该半导体衬底。该开口首先用衬垫衬里，然后用导电材料填充该开口。减薄半导体衬底的背面以暴露该衬垫，该衬垫随后被移除以形成围绕穿透硅通孔的导电材料的气隙。在半导体衬底的背面形成电介质层，以密封该气隙。 | ||
| 申请公布号 | CN101771018B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200910143528.3 | 申请日期 | 2009.05.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈明发 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永;马铁良 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；穿过半导体衬底延伸的穿透硅通孔；介于所述穿透硅通孔和半导体衬底之间的气隙；以及覆盖所述半导体衬底的背面的电介质层，该电介质层沿着半导体衬底的背面密封所述气隙。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||