| 发明名称 | 集成电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种集成电路装置及其制造方法，该集成电路装置包含一下晶圆、设置于该下晶圆上的至少一堆叠晶圆、以及至少一导电插塞，其贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆，其中该下晶圆及该堆叠晶圆以一中间黏着层予以接合，且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫。该集成电路装置的制造方法，包含形成一下晶圆、形成至少一堆叠晶圆、使用一中间黏着层接合该至少一堆叠晶圆至该下晶圆上、以及形成至少一导电插塞，其贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆，其中没有在该下晶圆及该堆叠晶圆之间形成焊垫。本发明揭示的集成电路装置的制造方法无需在下晶圆及堆叠晶圆之间形成焊垫，解决传统技术的焊垫制造相当复杂且昂贵问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102468279A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN201110004086.1 | 申请日期 | 2011.01.11 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄财煜 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 一种集成电路装置，包含：一下晶圆；至少一堆叠晶圆，设置于该下晶圆上，其中该下晶圆及该堆叠晶圆以一中间黏着层予以接合，且在该下晶圆及该堆叠晶圆之间没有焊垫；以及至少一导电插塞，贯穿该堆叠晶圆且深入该下晶圆。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||