制造半导体装置的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体装置的方法。此方法包含在基材上形成可图形化层。此方法包含在可图形化层上形成第一层。此方法包含在第一层上形成第二层。此第二层实质上比第一层薄。此方法包含以光阻材料经由第一蚀刻工艺图形化第二层，来形成图形化的第二层。此方法包含以图形化的第二层经由第二蚀刻工艺图形化第一层，来形成图形化的第一层。在第二蚀刻工艺中，此第一层和第二层有实质上不同的蚀刻速率。此方法包含以图形化的第一层经由第三蚀刻工艺图形化此可图形化层。

主权项

一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一可图形化层在一基材之上；形成一第一层在该可图形化层之上；形成一第二层在该第一层之上，该第二层比该第一层薄；以一光阻屏蔽经由一第一蚀刻工艺图形化该第二层，以形成一图形化的第二层；以该图形化的第二层经由一第二蚀刻工艺图形化该第一层，来形成一图形化的第一层，其中在该第二蚀刻工艺中，该第一层和该第二层有不同的蚀刻速率；以及以该图形化的第一层经由一第三蚀刻工艺图形化该可图形化层。