发明名称 | 氮化物半导体激光二极管 | ||
摘要 | 一种氮化物半导体激光二极管,其包含衬底;n侧氮化物半导体层,形成在衬底上;活性层,形成在n侧氮化物半导体层上,且具有包含InxAlyGa1-x-yN(0<x<1,0≤y<1,0<x+y<1)的发光层;以及p侧氮化物半导体层,形成在活性层上;且,氮化物半导体激光二极管的振荡波长为500nm以上,以活性层为起点产生的位错贯穿所述p侧氮化物半导体层,p侧氮化物半导体层的位错密度达到1×106cm-2以上,p型杂质的深度方向的浓度分布是在从发光层朝向p侧氮化物半导体层的表面而和最靠近p侧氮化物半导体层的发光层的上端相距300nm以内的范围内,具有p型杂质浓度达到5×1018cm-3以上的最大值,且当过了最大值后,在所述300nm以内的范围内,p型杂质浓度不低于6×1017cm-3。 | ||
申请公布号 | CN102474077A | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
申请号 | CN201080034220.6 | 申请日期 | 2010.07.26 |
申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 三好隆 |
分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
主权项 | 一种氮化物半导体激光二极管,其包含衬底;n侧氮化物半导体层,形成在所述衬底上,且含有n型杂质;活性层,形成在所述n侧氮化物半导体层上,且具有包含InxAlyGa1‑x‑yN(0<x<1,0≤y<1,0<x+y<1)的发光层;以及p侧氮化物半导体层,形成在所述活性层上,且包含p型杂质;其特征在于:所述氮化物半导体激光二极管的振荡波长为500nm以上,以所述活性层为起点产生的位错贯穿所述p侧氮化物半导体层,所述p侧氮化物半导体层的位错密度达到1×106cm‑2以上,所述p型杂质的深度方向的浓度分布是在从所述发光层朝向所述p侧氮化物半导体层的表面而和最靠近所述p侧氮化物半导体层的所述发光层的上端相距300nm以内的范围内,具有p型杂质浓度达到5×1018cm‑3以上的最大值,且当过了所述最大值后,在所述300nm以内的范围内,所述p型杂质浓度不低于6×1017cm‑3。 | ||
地址 | 日本德岛县 |