半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

主权项

一种半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括与所述栅电极层重叠的沟道形成区；所述氧化物半导体层上的氧化物绝缘层；以及所述氧化物绝缘层上的源电极层和漏电极层，其中，所述氧化物半导体层包括与所述氧化物绝缘层接触的第一区域和与所述源电极层或所述漏电极层接触的第二区域，其中，所述第一区域包括所述沟道形成区和与覆盖所述氧化物半导体层的边缘及侧面的所述氧化物绝缘层重叠的区域，并且其中，所述氧化物半导体层的端面隔着所述氧化物绝缘层与所述源电极层或所述漏电极层重叠。