| 发明名称 | 半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种散热性及耐热性优越的半导体发光器件。本发明的半导体发光器件在硅辅助座元件(2)上具有芯片LED(3～6)，在硅辅助座元件(2)上形成配线图案(7)，该配线图案(7)包括：用于连接芯片LED(3～6)的芯片连接端子部(7a)；用于连接外部装置的外部连接端子部(7b)；以及连接对应的芯片连接端子部(7a)和外部连接端子部(7b)的多个引线部(7c)。而且，芯片连接端子部(7a)的面积比芯片连接端子部(7a)及芯片LED(3～6)相互重合区域的面积大。 | ||
| 申请公布号 | CN1945822B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200610151670.9 | 申请日期 | 2006.09.11 |
| 申请人 | 日立麦克赛尔株式会社 | 发明人 | 山中登志弘;塚本博之;岸本清治 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 熊志诚 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：在表面形成绝缘性的氧化物层且在该氧化物层上形成了所需的配线图案的硅辅助座元件；以及安装在该硅辅助座元件上的半导体芯片；上述配线图案包括：用于连接上述半导体芯片的多个芯片连接端子部；用于连接外部装置的多个外部连接端子部；以及连接对应的芯片连接端子部和外部连接端子部的多个引线部；其特征在于：上述芯片连接端子部的面积比上述芯片连接端子部及上述半导体芯片相互重合的区域的面积大。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||