| 发明名称 | 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氧化亚锡多晶薄膜的制备方法。本发明利用氧化锡(SnO2)蒸发料和电子束蒸发设备，先低温制备SnOx(1＜x＜2)非晶薄膜，再经高温真空退火处理，获得SnO多晶薄膜。本发明制备工艺简单可控，可在石英玻璃等衬底上大面积均匀成膜，且成膜重复性好。氧化亚锡为p型导电氧化物，可用于制备氧化物基光电子及电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102021519B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200910152532.6 | 申请日期 | 2009.09.17 |
| 申请人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明人 | 曹鸿涛;梁凌燕;刘志敏 |
| 分类号 | C23C14/30(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 氧化亚锡多晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：使用电子束轰击SnO2蒸发料，使得SnO2蒸发；将蒸发物沉积在衬底上，形成SnOx薄膜，其中1＜x＜2；蒸发物沉积的沉积速率小于0.04nm/s；在真空环境中对所述SnOx薄膜进行退火处理，形成SnO多晶薄膜；退火温度为400℃至650℃，退火时间为20min至40min。 | ||
| 地址 | 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 | ||