| 发明名称 | Si-SiC质烧结体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使形成厚壁形状也难于产生氧化劣化、破损等的Si-SiC质烧结体。一种Si-SiC质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅(SiC)粒子和作为粘合剂填充在上述碳化硅粒子间的空隙中的硅(Si)，其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为0.5mm～6mm，所述硅的含量为5～40质量％，气孔率为0～5％。优选厚度为20～200mm的厚壁形状的Si-SiC质烧结体。 | ||
| 申请公布号 | CN101172861B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200710162290.X | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 日本碍子株式会社;NGK阿德列克株式会社 | 发明人 | 古宫山常夫;山川治;堀清一 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/78(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种Si‑SiC质烧结体，含有作为骨材的许多碳化硅SiC粒子和填充在所述碳化硅粒子间的空隙中的硅Si，其中，所述碳化硅粒子的最大粒径为0.5mm～6mm，粒径0.5mm～6mm的碳化硅粒子的含量为碳化硅粒子全体的10～80质量％，所述硅的含量为5～40质量％，气孔率为0～5％，所述Si‑SiC质烧结体是厚度为20～200mm的厚壁形状。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||