发明名称 |
形成气隙结构的方法和系统 |
摘要 |
描述了一种用于在衬底上形成气隙结构的方法和系统。该方法包括在衬底上形成牺牲层,其中该牺牲层包括在约350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料。其后,在小于牺牲层的热分解温度的衬底温度下,在牺牲层上形成盖层。通过执行衬底的第一次紫外(UV)辐射曝光并且将衬底加热到小于牺牲层的热分解温度的第一温度,来使得牺牲层分解,并且经由盖层移除经分解的牺牲层。通过执行衬底的第二次UV辐射曝光并且将衬底加热到大于第一温度的第二温度,来将盖层硬化而使得盖层交联。 |
申请公布号 |
CN101828249B |
申请公布日期 |
2012.05.23 |
申请号 |
CN200880112231.4 |
申请日期 |
2008.10.14 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
刘俊军;多雷尔·I·托玛 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
王安武;南霆 |
主权项 |
一种用于在衬底上形成气隙结构的方法,包括:在衬底上形成牺牲层,其中,所述牺牲层包括在350摄氏度以上的热分解温度下热分解的可分解材料;在小于所述牺牲层的所述热分解温度的衬底温度下,在所述牺牲层上形成盖层;通过执行所述衬底的第一次UV辐射曝光并且将所述衬底加热到小于所述牺牲层的所述热分解温度的第一温度,来使得所述牺牲层分解;经由所述盖层移除经分解的所述牺牲层;并且通过执行所述衬底的第二次UV辐射曝光并且将所述衬底加热到大于所述第一温度的第二温度,来将所述盖层硬化而使得所述盖层交联。 |
地址 |
日本东京都 |