PN结二极管、相变随机存储器及其制作方法

摘要

一种PN结二极管、相变随机存储器及其制作方法。其中，相变随机存储器的制作方法，包括下列步骤：提供P型半导体衬底，所述P型半导体衬底内形成有掩埋N阱；在掩埋N阱表面注入N型离子形成N型扩散层；在P型半导体衬底上形成层间介质层，在所述层间介质层中形成有与掩埋N阱位置对应的通孔；向通孔内填充满多晶硅后，向多晶硅中注入P型离子，形成P型多晶硅插塞；在P型多晶硅插塞上依次形成第一电极、相变层和第二电极。本发明不但节省了费用，还简化了步骤，提高了制作效率。

主权项

一种PN结二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供P型半导体衬底，所述P型半导体衬底内形成有掩埋N阱；在掩埋N阱表面注入N型离子形成N型扩散层；在P型半导体衬底上形成层间介质层，在所述层间介质层中形成有与掩埋N阱位置对应的通孔；向通孔内填充满多晶硅后，向多晶硅中注入P型离子，形成P型多晶硅插塞，所述P型多晶硅插塞作为PN结的P结，又作为连接相变随机存储器中第一电极的导电插塞。