发明名称 半导体装置及发光装置
摘要 一种具有几乎不会由于退化的EL元件而产生电流值改变的结构的半导体装置被提供。电容元件被配置于驱动TFT闸极和源极之间,视频信号输入到闸电极,然后它处于浮动状态。此时,当驱动TFT的闸极源极电压超过起始值时,驱动TFT被开启。假定EL元件退化并且阳极电位上升,即驱动TFT的源极电位上升,则藉由电容元件的耦合处于浮动状态的驱动TFT的闸电极的电位将上升相同量。因此,即使当阳极电位由于EL元件退化而上升,这种上升同样被加到闸电极电位,而允许驱动TFT的闸极源极电压保持不变。
申请公布号 TWI364740 申请公布日期 2012.05.21
申请号 TW096135567 申请日期 2002.11.08
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 木村肇
分类号 G09G3/30 主分类号 G09G3/30
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本