发明名称 |
用于光罩电浆蚀刻之方法及设备 |
摘要 |
在此提供一种用于光罩蚀刻的方法及设备。在一实施例中,一种蚀刻一光罩的方法包括提供一处理室,其具有一基材支撑座用来接收一光罩基材于其上;一离子-自由基(ion-radical)屏蔽件被提供在该座上方;一基材被放置在该座上位在该离子-自由基屏蔽件底下;一处理气体被引入到该处理室内且由从该处理气体中形成一电浆,该基材主要系以穿过该屏蔽件的自由基来蚀刻。 |
申请公布号 |
TWI364779 |
申请公布日期 |
2012.05.21 |
申请号 |
TW094110929 |
申请日期 |
2005.04.06 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
库默亚杰;仙卓须德麦哈维;安德森史考特亚伦;沙特潘威夏彼得;邱伟帆 |
分类号 |
H01L21/027 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |