发明名称 用于光罩电浆蚀刻之方法及设备
摘要 在此提供一种用于光罩蚀刻的方法及设备。在一实施例中,一种蚀刻一光罩的方法包括提供一处理室,其具有一基材支撑座用来接收一光罩基材于其上;一离子-自由基(ion-radical)屏蔽件被提供在该座上方;一基材被放置在该座上位在该离子-自由基屏蔽件底下;一处理气体被引入到该处理室内且由从该处理气体中形成一电浆,该基材主要系以穿过该屏蔽件的自由基来蚀刻。
申请公布号 TWI364779 申请公布日期 2012.05.21
申请号 TW094110929 申请日期 2005.04.06
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 库默亚杰;仙卓须德麦哈维;安德森史考特亚伦;沙特潘威夏彼得;邱伟帆
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 美国