发明名称 |
制作应变矽电晶体的方法以及制作应变矽互补式金氧半导体电晶体的方法 |
摘要 |
本发明系揭露一种制作应变矽电晶体的方法,该方法包含有下列步骤:首先提供一半导体基底,且该半导体基底上包含有至少一闸极结构。然后进行一蚀刻制程,以于该闸极结构相对两侧之该半导体基底中形成二凹槽,并对该半导体基底进行一氧气冲洗(O2flush)。接着对该半导体基底进行一清洗制程,然后进行一选择性磊晶成长制程,以于该等凹槽内分别形成一磊晶层,当作源极/汲极。 |
申请公布号 |
TWI364797 |
申请公布日期 |
2012.05.21 |
申请号 |
TW096144967 |
申请日期 |
2005.09.21 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
吴至宁;戴炘;李忠儒;萧维沧 |
分类号 |
H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |