| 摘要 |
1. Фотоэлектрический элемент на основе кремния, отличающийся тем, что кремний содержит концентрацию донорных легирующих элементов и/или акцепторных легирующих элементов, большую или равную 5 ат.ч/млн, причем разница между этими двумя концентрациями является меньшей или равной 5 ат.ч/млн. ! 2. Фотоэлектрический элемент по п.1, отличающийся тем, что концентрация бора является большей или равной 5 ат.ч/млн. ! 3. Фотоэлектрический элемент по п.1, отличающийся тем, что концентрация фосфора является большей или равной 5 ат.ч/млн. ! 4. Способ получения кристаллического кремния фотоэлектрического качества кристаллизацией расплавленного кремниевого сырья, отличающийся тем, что сумма первоначальных концентраций донорных легирующих элементов и акцепторных легирующих элементов в кремниевом сырье является большей, чем 0,1 ат.ч/млн, концентрации как акцепторных, так и донорных легирующих элементов являются меньшими, чем 25 ат.ч/млн, причем способ включает в себя до кристаллизации кремния: ! - определение концентраций легирующих веществ донорного типа и акцепторного типа, первоначально присутствующих в сырье, ! - добавление по меньшей мере заданного количества легирующего вещества с коэффициентом распределения менее 0,1 для удовлетворения, на по меньшей мере 50% кристаллизованного кремния от начала кристаллизации, либо первого уравнения для кристаллического кремния p-типа ! , ! либо второго уравнения для кристаллического кремния n-типа ! ! причем в данных уравнениях ! - k a, k d соответствуют коэффициентам распределения соответственно акцепторных легирующих элементов и донорных легирующих элементов, ! - C 0a, C 0d соответствуют конце� |
