发明名称 GROUP IV ELEMENT DOPED P-TYPE Zn(Mg,Cd,Be)O(S,Se) SEMICONDUCTOR
摘要 A p-type group II-VI semiconductor may include a group IV element as a dopant. The group II-IV semiconductor may be Zn1-a-b-cMgaCdbBecO1-p-qSpSeq, wherein a=0˜1, b=0˜1, c=0˜1, p=0˜1 and q=0˜1.
申请公布号 US2012119203(A1) 申请公布日期 2012.05.17
申请号 US20100944227 申请日期 2010.11.11
申请人 ZHANG JIZHI;SONG JIN JOO 发明人 ZHANG JIZHI;SONG JIN JOO
分类号 H01L29/22;H01B1/10 主分类号 H01L29/22
代理机构 代理人
主权项
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