制造应变源/漏极结构的方法

摘要

本发明揭露一种应变源/漏极结构的制造方法。揭露的方法对集成电路组件的近面和尖端深度提供改善的控制。在一个实施方式中，这个方法通过在该组件的源极和漏极区域内形成一个掺杂区域与一个轻掺杂源极和漏极(LDD)区域来达成控制的改善。在掺杂区域植入与轻掺杂源极和漏极(LDD)区域相反类型的杂质。

主权项

一种应变源/漏极结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；形成一栅极结构于该基底上；实施具有一第一杂质和一第一剂量的一第一植入制程于该基底上，以在该基底内形成轻掺杂源极和漏极区域，该栅极结构分断该轻掺杂源极和漏极区域；实施具有一第二杂质和一第二剂量的一第二植入制程于该基底上，以在该基底内形成掺杂区域，该第二杂质与该第一杂质电性相反，该掺杂区域与该栅极结构相邻的该轻掺杂源极和漏极区域的侧壁对准；形成间隙壁于该栅极结构；去除该栅极结构的两侧的部分该基底，以在该基底内形成一凹陷，该凹陷定义该基底的源极和漏极区域；以及磊晶成长半导体材料填充该凹陷，以形成源极和漏极结构。