发明名称 | 用于溅射装置的磁路 | ||
摘要 | 本发明提供一种用于磁控溅射装置的磁路,其在靶表面上方产生高磁场强度的弧形磁力线并且具有提高的抗退磁性。该磁路包括:内部磁体;外部磁体,其具有与内部磁体的磁化方向相反的磁化方向且围绕内部磁体;水平磁化磁体,其设置在内部磁体和外部磁体之间,并且在垂直于内部磁体和外部磁体的磁化方向的方向上并且在从内部磁体到外部磁体的方向上或者从外部磁体到内部磁体的方向上被磁化;以及磁轭,其设置成磁通穿过位于内部磁体和外部磁体之间的磁轭,其中水平磁化磁体的磁矫顽力在接近靶侧的区域处比在磁体的内部中心处大。 | ||
申请公布号 | CN102453882A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
申请号 | CN201110345009.2 | 申请日期 | 2011.11.04 |
申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 小林秀树 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人 | 权鲜枝 |
主权项 | 一种用于磁控溅射装置的磁路,其中上述磁路设置在靶的背侧并且产生在上述靶的表面上方绘制弧形磁力线的漏磁场,上述磁路包括:内部磁体;外部磁体,其具有与上述内部磁体的磁化方向相反的磁化方向且围绕上述内部磁体;水平磁化磁体,其设置在上述内部磁体和上述外部磁体之间,并且在垂直于上述内部磁体和上述外部磁体的磁化方向的方向上且在从上述内部磁体到上述外部磁体的方向上或者从上述外部磁体到上述内部磁体的方向上被磁化;以及磁轭,其设置成隔着介于上述磁轭与靶之间的磁体而面向靶,使得磁通穿过位于上述内部磁体和上述外部磁体之间的上述磁轭,其中上述水平磁化磁体的磁矫顽力的值在上述水平磁化磁体的接近靶侧的区域处比在上述水平磁化磁体的内部中心处大。 | ||
地址 | 日本东京都 |