发明名称 有机发光显示设备及其制造方法
摘要 一种有机发光显示设备,其包括基底,以及依次形成于基底上的透明电极层、源极/漏极层、铟镓锌半导体层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层与有机发光结构。上述有机发光显示设备具有可简化制程的优点。此外,本发明还提供一种制备有机发光显示设备的方法。上述有机发光显示设备及其制造方法,有利于简化有机发光显示设备的制程。
申请公布号 CN102456703A 申请公布日期 2012.05.16
申请号 CN201010517867.6 申请日期 2010.10.25
申请人 元太科技工业股份有限公司 发明人 黄松辉;蓝纬洲;叶佳俊;辛哲宏
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京汇智英财专利代理事务所 11301 代理人 刘祖芬
主权项 一种有机发光显示设备,其包括一个基底、一个透明电极层、一个源极/漏极层,其特征在于:该基底具有一个第一薄膜晶体管区、一个第二薄膜晶体管区及一个有机发光结构区,该第二薄膜晶体管区位于该第一薄膜晶体管区与该有机发光结构区之间,该透明电极层设置于该基底上,具有一个第一电极、一个第二电极及一个第三电极,该第一电极位于该第一薄膜晶体管区上,该第二电极位于该第二薄膜晶体管区上,该第三电极位于该有机发光结构区上且与该第二电极电性连接,该源极/漏极层设置于该透明电极层上,具有一个第一漏极与一个第二漏极,该第一漏极位于该第一薄膜晶体管区上,该第二漏极位于该第二薄膜晶体管区上,该源极/漏极层与该基底上设有一个铟镓锌半导体层,该铟镓锌半导体层具有一个第一半导体与一个第二半导体,该第一半导体位于该第一薄膜晶体管区上,该第二半导体位于该第二薄膜晶体管区上,该源极/漏极层、该铟镓锌半导体层及该基底上设有暴露该第三电极的一个第一绝缘层,该第一绝缘层上设有一个栅极层,该栅极层具有一个第一栅极与一个第二栅极,该第一栅极位于该第一薄膜晶体管区上,该第二栅极位于该第二薄膜晶体管区上且延伸至该第一薄膜晶体管区上且与该第一漏极电性连接,该第一绝缘层与该栅极层上设有一个第二绝缘层,该第二绝缘层暴露该第三电极,且该第三电极上设有一个有机发光结构。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行一路3号
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