| 发明名称 | 发射极掺杂多晶硅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发射极掺杂多晶硅的制造方法，硅片上已由介质层形成发射极窗口，发射极窗口中的基区表面已具有一层氧化硅；第1步，采用腔体减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上交替地淀积非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅；第2步，采用快速热退火工艺，使所淀积的非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅中的掺杂物分布均匀。本发明可以提高多晶硅的生长速率，保持掺杂多晶硅中的掺杂物浓度及分布均匀，还可改善晶粒尺寸和表面粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN102456571A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201010514579.5 | 申请日期 | 2010.10.21 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 缪燕 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种发射极掺杂多晶硅的制造方法，该方法进行之前硅片上已由介质层形成发射极窗口，发射极窗口中的基区表面已具有一层氧化硅；其特征是，所述方法包括如下步骤：第1步，采用腔体减压化学气相淀积工艺在发射极窗口中的氧化硅之上交替地淀积非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅；第2步，采用快速热退火工艺，使所淀积的非掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅中的掺杂物分布均匀。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||