| 发明名称 | 成膜方法、前处理装置和处理系统 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种对具有凹部(2)的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层(122)的被处理体(W)形成含Mn的薄膜的成膜方法，其包括：在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序；通过在进行过亲水化处理的绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理形成含Mn的薄膜的薄膜形成工序。由此，在相对电容率低的由low-k膜构成的绝缘层的表面高效地形成含Mn的薄膜，例如MnOx膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102460653A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080026564.2 | 申请日期 | 2010.06.16 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 松本贤治;伊藤仁;三好秀典;保坂重敏;佐藤浩;根石浩司;小池淳一 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/20(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种成膜方法，对具有凹部的在表面形成有由low‑k膜构成的绝缘层的被处理体形成含Mn的薄膜，该成膜方法的特征在于，包括：亲水化工序，在所述绝缘层的表面实施亲水化处理，形成亲水性表面；和薄膜形成工序，通过在进行过所述亲水化处理的所述绝缘层的表面使用含Mn原料实施成膜处理，形成含Mn的薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||