发明名称 |
在非易失性存储器器件内将以二进制格式存储的数据折叠为多状态格式 |
摘要 |
描述了在多状态非易失性存储器中读和写数据的技术。数据以二进制格式被写入存储器中,被读入到存储器上的数据寄存器中,且在寄存器内被″折叠″,然后以多状态格式被写回到存储器中。在折叠操作中,来自单个字线的二进制数据被折叠为多状态格式,且当以多状态形式重写时仅被写到另一字线的一部分中。还描述了其中数据被″展开″的对应的读技术。该技术还允许在控制器上用纠错码(ECC)编码数据,该控制器考虑到其在将数据传输到存储器以便以二进制形式写之前的最终多状态存储。还给出了允许这种″折叠″操作的寄存器结构。一组实施例包括本地内部数据总线,其允许在不同读/写堆叠的寄存器之间传输数据,其中,该内部总线可以用在内部数据折叠处理中。 |
申请公布号 |
CN102460584A |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN201080024547.5 |
申请日期 |
2010.05.11 |
申请人 |
桑迪士克科技股份有限公司 |
发明人 |
李艳;C.Q.特林;B.刘;A.K-T.马克;王琪铭;E.J.塔姆;K-H.金 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种操作非易失性存储器系统的方法,该非易失性存储器系统包括非易失性存储器电路,该非易失性存储器电路具有沿多个字线和多个位线形成的非易失性存储器单元的阵列,所述位线形成每个可连接到对应的数据寄存器集的多个子集,所述方法包括:以二进制格式沿着第一字线向第一多个存储器单元写数据,所述第一多个存储器单元沿着对应的第一多个位线形成;将来自该第一多个存储器单元的数据读入到与第一多个位线对应的寄存器集中;在所述寄存器集内重新布置来自该第一多个存储器单元的数据,由此将数据布置到与第二多个位线对应的寄存器集中,该第二多个位线少于该第一多个位线;以及随后以多状态格式将来自与该第二多个位线对应的寄存器的重新布置的数据写到沿第二字线的并沿着第二位线集形成的第二多个存储器单元中。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |