| 发明名称 | 非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非易失性存储器件和非易失性存储器件的制造方法。在所述非易失性存储器件中层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。根据本发明，能够抑制由于焦耳热导致的所述信息存储层的温度上升，因此能够抑制读干扰现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN102456834A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110302115.2 | 申请日期 | 2011.10.08 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 角野润 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件层叠有第一电极、具有正的珀尔帖系数的第一材料层、信息存储层、具有负的珀尔帖系数的第二材料层和第二电极。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||