| 发明名称 | 抗蚀图案改善材料、形成抗蚀图案的方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了抗蚀图案改善材料，其含有C4-11直链链烷二醇和水。本发明还提供了用于形成抗蚀图案的方法，以及用于制造半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102455599A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201110226683.9 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 小泽美和;野崎耕司 |
| 分类号 | G03F7/04(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 吴小瑛;任晓华 |
| 主权项 | 抗蚀图案改善材料，其包含：C4‑11直链链烷二醇；和水。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||