发明名称 | 半导体结构及其制作方法 | ||
摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括:半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片,其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中,鳍片两侧可以直接形成栅介质层,提高了晶体管的电性能。 | ||
申请公布号 | CN102456734A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
申请号 | CN201010527273.3 | 申请日期 | 2010.10.29 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王鹤飞;骆志炯;刘佳 |
分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种半导体结构,包括:半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的鳍片,其特征在于,仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |