| 发明名称 | 使用碱性蚀刻剂溶液蚀刻非晶半导体氧化物 | ||
| 摘要 | 提供蚀刻方法，其中能对包括镓和锌的至少一种与铟的非晶氧化物半导体膜进行选择性蚀刻。在该蚀刻方法中，使用碱性蚀刻溶液进行该选择性蚀刻。该碱性蚀刻溶液尤其含有特定浓度范围的氨。 | ||
| 申请公布号 | CN101548367B | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN200780045098.0 | 申请日期 | 2007.11.20 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 张建六 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 蚀刻非晶氧化物半导体膜的蚀刻方法，该非晶氧化物半导体膜包括镓和锌的至少一种与铟；该方法包括用碱性蚀刻溶液对该非晶氧化物半导体膜进行相对于ITO的选择性蚀刻，该蚀刻溶液以在4.6质量％～28质量％范围内选择的浓度含有氨。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||