发明名称 |
用于一种固态发光器件的像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种发光器件,其包括沉积在衬底上的有源层结构,该结构具有一个或多个包含发光中心的有源层,如具有半导体纳米颗粒的宽能带隙材料。为实现从有源层结构的实用的光提取,在有源层结构上沉积透明电极,在衬底下方安置底电极。在上透明电极与有源层结构之间以及有源层结构与衬底之间的接触区上形成导电性高于有源层结构顶层的过渡层。因此与有源层结构相关的高场强区被后移并离开接触区,从而可以减小生成所期望的在透明电极、有源层结构与衬底之间流动的电流所需的电场,并减小与大场强相关的有害影响。 |
申请公布号 |
CN101361198B |
申请公布日期 |
2012.05.16 |
申请号 |
CN200680050141.8 |
申请日期 |
2006.12.22 |
申请人 |
第四族半导体有限公司 |
发明人 |
乔治·奇克;托马斯·马克埃尔维;伊恩·考尔德;史蒂文·E·希尔 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 |
代理人 |
郑小粤 |
主权项 |
一种发光器件,其包含:衬底;被支承在所述衬底上的有源层结构,所述有源层结构至少包括具有一定浓度的发光中心的第一有源层,所述第一有源层用于以第一波长发光;一组电极,其包含上透明电极和第二底电极,所述电极组用于对所述有源层结构施加电场;以及第一过渡层,其位于所述上透明电极与所述有源层结构之间,所述第一过渡层的导电性高于所述有源层结构的顶层的导电性;由此,与所述有源层结构相关的高场强区被后移并离开所述有源层结构与所述上透明电极之间的第一接触区;从而可以减小生成所期望的、流经所述第一接触区的电流所需的电场,并减小与大场强相关的有害影响。 |
地址 |
加拿大安大略省 |