发明名称 曝光设备焦距监测方法
摘要 一种曝光设备焦距监测的方法,包括:提供具有基准标记的掩模板,通过光刻工艺和刻蚀工艺,将所述基准标记转移到基底的上,在所述基底上形成基准标记图案;提供具有测试标记的掩模板;在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层,利用所述的曝光设备执行光刻工艺,将所述测试标记转移到所述光刻胶层中,形成测试标记图案;测量所述测试标记图案与基准标记图案的偏移量;若所述的偏移量不等于目标值,则所述曝光设备偏离最佳曝光位置。本方法工艺步骤简单,测量效率较高。
申请公布号 CN101592869B 申请公布日期 2012.05.16
申请号 CN200810113688.9 申请日期 2008.05.29
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 肖楠
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 李丽
主权项 一种扫描式曝光设备焦距在线监测的方法,其特征在于,包括:提供具有基准标记的掩模板,所述具有基准标记的掩模板上具有产品的某一层的图案,通过光刻工艺和刻蚀工艺,将所述基准标记转移到基底上,在所述基底上形成基准标记图案;提供具有测试标记的掩模板,所述具有测试标记的掩模板上具有产品另外一层的图案;在具有所述基准标记图案的基底上形成光刻胶层,利用所述的曝光设备执行光刻工艺,将所述测试标记转移到所述光刻胶层中,形成测试标记图案;测量所述测试标记图案与基准标记图案的偏移量,其中,所述基准标记和测试标记为中心重合的套刻标记,所述偏移量为测试标记图案与基准标记图案的中心偏移量,所述测试标记和基准标记形成于具有产品图案的掩模板的外围,所述监测方法与产品的光刻步骤同时进行;若所述的偏移量不等于目标值,则所述曝光设备偏离最佳曝光位置;所述方法进一步包括:根据所述偏移量与曝光设备焦距的对应关系,获得曝光设备的实际焦距。
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