一种用于化学气相沉积工艺的反应器

摘要

本实用新型提供用于化学气相沉积工艺的反应器，包括一反应腔；具有设置在所进述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上，传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；其特征在于，所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。本实用新型有效利用热能，明显改善辐射加热均匀性。

主权项

一种用于化学气相沉积工艺的反应器，其包括：一反应腔；具有设置在所述反应腔内的一顶端的一可旋转主轴；用于传送所述一个或多个晶片和对所述一个或多个晶片提供支撑的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分离地安装在所述主轴的所述顶端上，传送所述晶片托架以装载或卸载所述一个或多个晶片；以及设置在所述晶片托架之下用于加热所述晶片托架的辐射加热元件，其用于发射辐射加热射线；其特征在于，所述晶片托架的下表面设置有一系列反射部，所述反射部可以对辐射加热射线进行多次反射。