| 发明名称 | 在高温提供柔性半导体器件的方法及其柔性半导体器件 | ||
| 摘要 | 某些实施例包括提供半导体器件的方法。该方法可以包括：(a)提供柔性基板；(b)在柔性基板上沉积至少一层材料，其中在柔性基板上沉积至少一层材料在至少180℃的温度进行；以及(c)在金属层和a-Si层之间提供扩散阻挡物。该申请中还描述了其它实施例。 | ||
| 申请公布号 | CN102460646A | 申请公布日期 | 2012.05.16 |
| 申请号 | CN201080033022.8 | 申请日期 | 2010.05.28 |
| 申请人 | 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 | 发明人 | S.奥鲁尔克;C.莫耶;S.阿金诺;D.博奇;B.奥布赖恩;M.马斯 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种提供半导体器件的方法，包括：提供柔性基板；在该柔性基板上沉积至少一层材料，其中所述在该柔性基板上沉积至少一层材料在至少180℃的温度进行；以及在金属层和N+非晶硅层之间提供扩散阻挡物。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那州 | ||